近日，憶聯(lián)正式推出首款面向OEM市場的消費級PCIe 5.0 SSD產品AM6D1。該產品以高達11400 MB/s的順序讀取速度、10900 MB/s的順序寫入速度，以及1600K/1150K IOPS的隨機讀寫性能，不僅突破了消費級SSD的性能邊界，更將為AI推理、專業(yè)內容創(chuàng)作與高端游戲娛樂等場景提供強勁的存儲動力。
性能躍升，暢享極致流暢：AM6D1基于PCIe 5.0接口讀寫性能較PCIe 4.0提升超50%，更以超高帶寬與強勁IOPS，輕松駕馭8K視頻剪輯、AI模型訓練等復雜計算任務。
拒絕卡頓，穩(wěn)定可靠：AM6D1確保高負載下性能波動＜5%，始終流暢如一；更集成端到端數據保護與ECC多重糾錯，為關鍵任務與核心數據構筑堅實安全防線。
更優(yōu)TCO，全周期成本優(yōu)化： AM6D1不僅通過DRAM-Less架構降低采購成本，更具備低至3mW的深度休眠能力，從初始到長期使用，實現總擁有成本(TCO)的全面降低。
性能全面躍升，輕松駕馭高負載場景
AM6D1采用新一代PCIe 5.0接口，性能指標實現全面躍升。其順序讀取速度突破11GB/s（高達11400 MB/s），順序寫入速度高達10900 MB/s，4KB隨機讀寫性能分別達到1600/1150K IOPS，相較上一代PCIe 4.0產品提升超50%。這一突破性性能表現，使其能夠輕松應對各類高負載應用場景。無論是面對容量龐大的3A游戲，需要實時編輯的8K超高清視頻素材，還是數據吞吐量巨大的AI模型訓練與推理任務，AM6D1都能提供出色的響應速度和處理能力，支撐 CPU及GPU全面釋放算力潛能。
CDM實測驗證，AM6D1在QD8T1與QD32T16等典型場景下的順序讀寫與隨機讀寫性能均優(yōu)于標稱值。在PCMark 10測試中，該產品512G與1TB版本得分均達3800分，2TB版本更達到4000分，充分展現了其卓越的綜合讀寫性能。
極致可靠設計，提供穩(wěn)定一致的存儲體驗
為應對持續(xù)高負載下的穩(wěn)定性嚴苛挑戰(zhàn)，AM6D1引入了創(chuàng)新的溫控管理方案。該方案通過提升DITT閾值并融合智能CPU降頻機制，動態(tài)調節(jié)硬盤溫度與性能，確保即使在長時間高負荷運行中，其性能波動也能被控制在5%以內，從而為科學計算、AI推理等關鍵任務提供持續(xù)穩(wěn)定的高性能保障。
針對突發(fā)性大文件寫入場景，AM6D1采用的靜態(tài)/動態(tài)SLC寫緩存技術，能依據實時負載智能調整緩存策略，顯著優(yōu)化連續(xù)寫入性能，避免因寫入壓力導致的性能波動與系統(tǒng)卡頓，這使得內容創(chuàng)作者與程序開發(fā)者在處理大型項目時，依然能獲得流暢無阻的操作體驗。
在數據安全層面，AM6D1集成了端到端數據路徑保護、SRAM ECC 及 CPU ECC 等多重高可靠技術，在數據從寫入、傳輸到存儲的每個環(huán)節(jié)均構筑起堅實防線，為用戶關鍵數據與數字資產提供全方位保障。
性能與能效協(xié)同，實現更優(yōu)TCO
在實現性能躍升的同時，AM6D1也出色地平衡了能效與成本。產品采用先進的高集成度DRAM-Less架構，通過精簡晶體與DCDC模塊數量，在保障高性能的同時，實現了制造成本的優(yōu)化。在節(jié)能方面，AM6D1支持ASPM L1.2低功耗模式，在該模式下其功耗可降至3mW以下，顯著延長了筆記本電腦等移動設備的電池續(xù)航。同時，產品還集成了LTR（延遲容忍報告）及D3熱/D3冷等多種節(jié)能機制，能夠根據系統(tǒng)負載動態(tài)調整功耗狀態(tài)，在保證性能的同時實現能效最優(yōu)化，為用戶帶來更低的總擁有成本。
作為憶聯(lián)在PCIe 5.0領域的關鍵布局，AM6D1以巔峰性能與廣泛兼容性無縫對接各大OEM平臺，為從高端工作站、AI開發(fā)到電競主機的多元場景，提供一站式“開箱即用”解決方案，從容應對智能化時代的存儲挑戰(zhàn)。
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